%A 陈 宇1,刘红梅2,王峰阳3,高天学4 %T Mg-Sn合金的阻尼机理研究 %0 Journal Article %D 2017 %J 金属热处理 %R 10.13251/j.issn.0254-6051.2017.04.004 %P 18-21 %V 42 %N 4 %U {http://www.jsrcl.net/CN/abstract/article_10103.shtml} %8 2017-04-25 %X 研究了不同的Sn含量(Mg-(1-10)wt%)的Mg-Sn合金在不同状态下(铸态、固溶态、固溶+时效态)的阻尼性能。结果表明随着Sn含量的增加, Mg-Sn合金阻尼性能中与应变相关的阻尼值(阻尼因子Q-1)会相应的增加。Mg-Sn合金阻尼机理为位错阻尼和相界阻尼的共同作用,相界阻尼来自于合金中层片状共晶组织(Mg2Sn与α-Mg)相界面摩擦阻尼。高应变振幅下,Mg-(1-5 wt%)Sn的Q-1因子变化规律为:T4>F>T6,位错机制占主导地位;Mg-(7-10 wt%)的阻尼因子Q-1变化规律为:F>T4>T6,相界面摩擦阻尼占主导地位。